领大半导体请求具有短沟道的嵌入式超级势垒整流器的碳化硅阶梯式沟槽MOSFET专利用于下降栅氧化层电场并进步短路才能

  国家知识产权局信息数据显现，领大半导体（青岛）有限公司请求一项名为“具有短沟道的嵌入式超级势垒整流器的碳化硅阶梯式沟槽MOSFET”的专利，公开号CN121865682A，请求日期为2025年12月。

  专利摘要显现，一种碳化硅沟槽功率器材，包含在每个单元胞中集成在一起的至少一个碳化硅MOSFET和一个碳化硅超级势垒整流器（SBR），单元胞具有用于碳化硅MOSFET的至少单阶梯式栅极沟槽结构。至少单阶梯式栅极沟槽包含榜首顶部栅极沟槽和至少一个榜首底部栅极沟槽；榜首顶部栅极沟槽的沟槽宽度大于至少一个榜首底部栅极沟槽的沟槽宽度；碳化硅MOSFET的栅电极在榜首顶部栅极沟槽内，榜首顶部栅极沟槽的底部区域设有榜首绝缘膜，榜首顶部栅极沟槽的侧壁设有榜首栅氧化层；榜首绝缘膜填充所述至少一个榜首底部栅极沟槽，且厚度大于榜首栅氧化层的厚度；Y形接地屏蔽区环绕至少一个榜首底部栅极沟槽，用于下降榜首栅氧化层电场并进步短路才能。

  天眼查资料显现，领大半导体（青岛）有限公司，成立于2023年，坐落青岛市，是一家以从事科技推广和使用服务业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。经过天眼查大数据分析，领大半导体（青岛）有限公司共对外出资了1家企业，专利信息1条，此外企业还具有行政许可1个。

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